IBM y AMD primeros en 22 nm
IBM y su pandilla de desarrolladores y colaboradores anunciaron hoy con gran orgullo el haber conseguido la primera celda funcional de silicio SRAM fabricada en 22 nm. Esto los pondría por delante de Intel en las carrera ya que estos habían anunciado su entrada a los 32 nm en Septiembre del año pasado.
SRAM es usualmente el primer semiconductor que un fabricante de chips somete a pruebas antes de conseguir el desarrollo de microporcesadores. Los participantes de dicha hazaña se abanderan bajo las compañías AMD, Freescale, IBM STMicroelectronics, Toshiba y los talentosos del College of Nanoscale Science and Engineering (CNSE). Estas se habrían construído a partir de un diseño convencional de 6 transistores sobre una oblea de 300 mm. El nivel de miniaturización alcanzado habría hecho que la celda SRAM sólo midiera 0.1 μm2; mientras que una celda SRAM de las utilizadas en procesadores Intel de 45 nm llega a los 0.346 μm2.
Intel ha dicho al respecto que aunque es una paso concreto en el dominio de los 22 nm por parte de IBM y sus secuaces, el producir sólo una celda SRAM no valida este logro, catalogando el hecho como un simple ejercicio de litography scaling. Según los gigantes azules, esta tecnología sólo se podría validar una vez que se haya logrado un arreglo de SRAM de cierta densidad, tal como ellos lo hicieron tiempo atrás en Septiembre de 2007, cuando anunciaron a viva voz que los 32 nm eran realidad.
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